IPD50N06S3-09 datasheet
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>> IPD50N06S3-09 MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 9.0mOhms datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
IPD50N06S3-09
库存数量:
可订货
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 9.0mOhms
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 9.0mOhms
IPD50N06S3-09 PDF下载
制造商
Infineon Technologies
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
55 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
50 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
9 mOhms
配置
Single
最大工作温度
+ 175 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
IPD50N06S3-09
IPD50N06S3-15
IPD50N06S3L-06
IPD50N06S3L-08
IPD50N06S3L-13
IPD50N06S4-09
供应商
公司名
电话
北京元坤伟业科技有限公司
010-62104931
刘先生
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
雷春艳
深圳市科翼源电子有限公司
13510998172
朱小姐
无锡固电半导体股份有限公司
15961889159
张小姐
深圳市华芯源电子有限公司
15019275130
张小姐
彭银平
彭银平
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
雷春艳
万三科技(深圳)有限公司
18188642307
王小康
深圳市瑞智芯科技有限公司
0755-82999903
朱先生
得捷电子(上海)有限公司
4009201199
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IPD50N06S3-09 参考价格
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